特許

J-GLOBAL ID：200903030013990028

イオン伝導体のイオン伝導を利用した記憶素子

発明者： 土井 彰
出願人/特許権者： 土井 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-284762
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092387
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】イオン伝導体のイオン伝導を利用する記憶素子を提供する。【解決手段】本発明は、イオン伝導体に電圧印加することで、電極直下にイオン伝導に伴う構造変化を惹起せしめ、それに伴う物性変化の有無を記憶の有無として検出する形の記憶素子に関わるものである。実施例では、銀含有ガラスの電圧印加により、透明電極直下に、当該ガラスの構造変化による黒化層を生じさせ、こうして作った黒化層の有無を利用する。本発明は、電圧印加で電極直下に生じた構造変化に伴って生じる物性の変化を利用するあらゆる記憶素子を包含する。

請求項（抜粋）：

イオン伝導体の電圧印加により電極直下に生ぜしめた構造変化を利用した,データの書き込み、読み出し、および消去が可能な記憶素子。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 C

Fターム (1件)：

5F083FZ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プログラマブルメタライゼーションセル構造およびその作製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-501650   出願人：アクソンテクノロジーズコーポレイション, アリゾナボードオブリージェンツ,アクティングオンビハーフオブアリゾナステイトユニバーシティ
• プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-523669   出願人：アクソンテクノロジーズコーポレイション, アリゾナボードオブリージェンツ
• プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-599033   出願人：アリゾナボードオブリージェンツ