半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-034940
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228868
出願日： 2004年02月12日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】フルシリサイドゲートと、部分的にシリサイド化されたシリサイド付きゲートの材料特性を利用し、電界効果トランジスタの用途に応じてゲート電極を作り分けて、しきい値制御や信頼性の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1にゲート絶縁膜4を介して形成されたゲート電極FG,SGと、ゲート電極FG,SGを挟んで半導体基板1に形成されたソース領域9およびドレイン領域9とを有し、ゲート電極FG,SG下にチャネルが形成される電界効果トランジスタTr1,Tr2を集積した半導体装置であって、電界効果トランジスタTr1,Tr2のゲート電極FG,SGが、フルシリサイドゲートFGと、部分的にシリサイド化されたシリサイド付きゲートSGとに選択的に分けて形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記半導体基板に形成されたソース領域およびドレイン領域とを有し、前記ゲート電極下にチャネルが形成される電界効果トランジスタを集積した半導体装置であって、前記電界効果トランジスタの前記ゲート電極が、フルシリサイドゲートと、部分的にシリサイド化されたシリサイド付きゲートとに選択的に分けて形成された半導体装置。

IPC (10件)：

H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (11件)：

H01L27/08 102C , H01L21/28 301S , H01L27/06 102A , H01L27/08 102A , H01L27/08 102D , H01L29/78 613Z , H01L29/78 617M , H01L29/78 617L , H01L27/04 P , H01L29/58 G , H01L29/78 301G

Fターム (144件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F038AR08 , 5F038AR09 , 5F038AR16 , 5F038AR23 , 5F038AR26 , 5F038AV06 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB03 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F110AA04 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110AA14 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE33 , 5F110EE41 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN25 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN71 , 5F110NN78 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA06 , 5F140AA21 , 5F140AA22 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC02 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF40 , 5F140BF51 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BH50 , 5F140CA10 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10

引用特許：

出願人引用 (7件)

MIS型半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-052683 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-032880 出願人：ローム株式会社
特開昭63-018662

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審査官引用 (9件)

特開昭59-125650
特開昭60-066854
CMOSトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-349278 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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