特許
J-GLOBAL ID：200903030037924468
半導体装置の製造装置及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中澤 昭彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-328572
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162876
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 従来は、多結晶シリコン膜表面に半球状の結晶であるグレイン(HSG)を成長させるため、回転式の乾燥装置によって表面の水分を乾燥除去していた。しかしこの方法では、多結晶シリコン膜表面にウォーターマークが発生し、HSGの成長が阻害され、容量部の容量値を増大することができなかった。【解決手段】 アンモニア過酸化水素水で加熱洗浄され、塩酸過酸化水素水で加熱洗浄され、希釈フッ酸溶液に浸漬されたシリコンウェハーが、純水によってリンスされた後、多結晶シリコン膜表面をイソプロピルアルコールによって乾燥させる。
請求項（抜粋）：
ウェハの多結晶シリコン膜に半球状のグレインを有する半導体装置の製造装置において、多結晶シリコン膜に半球状のグレインを形成する前に、ウェット処理されたウェハをイソプロピルアルコールにより乾燥させる乾燥部を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (5件)：
H01L 21/285
, H01L 21/205
, H01L 21/304 361
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/285 C
, H01L 21/205
, H01L 21/304 361 V
, H01L 27/10 621 B
