特許
J-GLOBAL ID:200903030064351119
配線基板とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-097476
公開番号(公開出願番号):特開平10-289964
出願日: 1997年04月15日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】キャビティに搭載する半導体素子等の電子部品と、キャビティの周囲に沿って配置した多数の接続用パッドとの接続が容易且つ確実に行える配線基板を提供する。【解決手段】上表面に形成されたキャビティ部2と、複数のセラミック層10〜21を積層してなり上記キャビティ部2を囲み内周側が断面階段形状を呈する枠部3と、この枠部3における階段面4,5上に固着された多数の接続用パッド6,8と、平面視において接続用パッド6,8の略直下に位置し且つ上記枠部3を形成する何れかのセラミック層間に該セラミック層の内周縁より引き下がった位置に形成されたメタライズ層24,26と、上記メタライズ層24,26の内周縁とセラミック層の内周縁との間の引き下がり部25,27のうち少なくとも上記接続用パッド6,8の略直下に設けた絶縁層28,29とを含む配線基板1。
請求項(抜粋):
電子部品を搭載するためのキャビティ部と、複数のセラミック層を積層してなり、上記キャビティ部を囲むように形成され、内周側が断面階段形状である枠部と、少なくとも上記キャビティ部の底面をなすように枠部に固着された底部と、上記枠部の階断面上に形成され電子部品と接続するための接続用パッドと、を含む配線基板であって、上記枠部を形成する複数のセラミック層の層間のうち少なくとも1つ以上の層間に形成され、内周縁が平面視にて上記接続用パッドの略直下で且つセラミック層の内周縁より引き下がった位置に形成されたメタライズ層と、少なくとも1つ以上のメタライズ層の内周縁とセラミック層の内周縁との間の引き下がり部のうち少なくとも上記接続用パッドの略直下に設けた絶縁層と、を含むことを特徴とする配線基板。
IPC (2件):
FI (5件):
H01L 23/12 W
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 Q
, H01L 23/12 D
, H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (3件)
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多層ガラスセラミックキャビティ基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-039973
出願人:沖電気工業株式会社
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セラミック多層基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-324495
出願人:株式会社住友金属エレクトロデバイス
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特開昭51-028663
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