結晶シリコン膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274078
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】従来の評価技術のようにポリシリコンの結晶粒径の電子顕微鏡で観察する検査は、人為的な労力と測定するまでに時間がかかるため、製造現場では不向きである上、破壊検査で行っており、表面加工や処理を施し観察するため実際の膜質が正確に測定されているとは限らない。【解決手段】本発明は、JISZ8741鏡面光沢度測定方法を利用し、結晶粒径が最大で且つ顆粒が未発生状態である時、電気伝導度が高くなり、エキシマレーザアニールされた薄膜表面の光沢度は最も低くなることから、ポリシリコンの形成工程において、ポリシリコンの光沢度を測定することにより、非破壊で結晶粒径を評価して、結晶化の最適な条件を設定し、不良品の早期排除やエネルギー密度の最適条件を設定する多結晶シリコンの製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に配置されたシリコン膜にエネルギーを印加し、多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜の鏡面光沢を測定する工程と、前記鏡面光沢に基づいて前記多結晶シリコン膜を選別する工程と、を具備することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。

引用特許：

出願人引用 (4件)

光処理装置および光処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153850 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平1-179315
特開昭56-137641

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