特許
J-GLOBAL ID：200903030116707278
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264215
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103125
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】非破壊読み出しの態様で、低誤差の読み出しを行うことが可能なMRAMを提供する。【解決手段】MRAMのTMR素子35は、トンネルバリア膜36を挟んで配設された記録層37とリファレンス層38とを有し、記録層37にデータを記憶する。TMR素子35に選択的に磁界を与えるため、電流駆動線56が配設される。記録層37は第1強磁性層を具備すると共にリファレンス層38は第2強磁性層を具備し、電流駆動線56からTMR素子35に与えられる磁界に対して、第2強磁性層の磁化方向を保持する保持力は、第1強磁性層の磁化方向を保持する保持力よりも小さくなるように設定される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
トンネルバリア膜を挟んで配設された記録層とリファレンス層とを有し、前記記録層にデータを記憶する磁気抵抗素子を記憶素子とするメモリセルが、マトリクス状に配置されたアドレス毎に配設されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイの各行に接続されたワード線と、
前記メモリセルアレイの各列に接続されたビット線と、
前記ワード線を選択するための行デコーダと、
前記ビット線を選択するための列デコーダと、
を具備し、
前記メモリセルアレイ内の選択メモリセルの記録層に記憶された記憶データを読み出す際、前記記憶データを破壊せずに前記選択メモリセルのリファレンス層の磁化方向を変えることが可能な読み出し用の磁界を、前記ワード線及び前記ビット線の少なくとも一方により前記磁気抵抗素子に与えながら読み出す操作を行って、前記記憶データの値を判断することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 150
, G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA12
, 5F083LA16
