有機トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170235
公開番号（公開出願番号）：特開2004-015007
出願日： 2002年06月11日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】寄生容量が小さく、短いチャネル長を精度良く形成でき、電流-電圧特性において飽和特性を示す有機トランジスタ及び該有機トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁体で形成された基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜5、ソース電極3、ドレイン電極4、及び有機半導体層6を有し、ソース電極3、有機半導体層6、及びドレイン電極4は、基板1と垂直方向に積層され、有機半導体層6は、ソース電極3及びドレイン電極4の間に配置され、ソース電極3、ドレイン電極4、及び有機半導体層6は、ゲート絶縁膜5に隣接し、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極2に対向する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁体で形成された基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体層を有し、前記ソース電極、前記有機半導体層、及び前記ドレイン電極は、前記基板と垂直方向に積層され、前記有機半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に配置され、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記有機半導体層は、前記ゲート絶縁膜に隣接し、該ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向することを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626A , H01L29/78 617W , H01L29/28

Fターム (26件)：

5F110AA02 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE22 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110GG28 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN33

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機薄膜トランジスタ素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-046362 出願人：キヤノン株式会社
サイドゲート型有機FET及び有機EL
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-086669 出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-303217 出願人：株式会社リコー

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