特許
J-GLOBAL ID：200903030135765904
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238225
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068727
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 発光波長の放射角依存性が小さい半導体発光素子を提供する【解決手段】 n型GaAs基板1上に、所定の間隔を置いて、n型AlAs/n型Al0.5Ga0.5AsのDBR層3及びp型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P/p型Al0.5In0.5PのDBR層7を、反射スペクトルの中心が650nmであり共振波長も650nmになるように形成する。量子井戸活性層(発光層)5を、両DBR層3,7で成る共振器中に生じる定在波の腹の位置に発光ピーク波長が650nmになるように形成する。p型電極12に囲まれた光出射面としてのp型Al0.5Ga0.5As光散乱層10の表面に格子パターン15を形成する。こうして、光出射面を粗面化することによって発光層5から放射された光を種々の方向に散乱させ、発光波長の放射角依存性を小さくする。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に所定の間隔を有して形成された一対の多層反射膜で成る共振器と、上記共振器内における定在波の腹の位置に形成された発光層を有する半導体発光素子において、上記発光層に対してGaAs基板とは反対側に位置する上記多層反射膜上には、層数が1以上であって最上層の表面が粗面化されている半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA14
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA93
, 5F041CB03
