特許
J-GLOBAL ID:200903030209643300
回路基板とその製造方法、その回路基板を用いたバンプ式コンタクトヘッドと半導体部品実装モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
長門 侃二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-271016
公開番号(公開出願番号):特開平9-330995
出願日: 1996年10月14日
公開日(公表日): 1997年12月22日
要約:
【要約】【課題】 表面に高さのばらつきが小さいバンプのパターンが形成されていて、そこに半導体部品を高密度実装することが可能な回路基板を提供する。【解決手段】 この回路基板は、レジスト層と絶縁基板とから成る絶縁基材1の中に、電気めっき法で形成された導体回路2aが埋設され、その表面にはバンプ3が表出し、これらの間は、いずれも、電気めっき法で形成される柱状導体51で電気的に接続されており、またバンプ3は異なる導電材料を電気めっき法で層状体3a,3bとして2層以上積層して成る多層構造体であり、この回路基板でバンプの形成個所に弾性部材を配置するとコンタクトヘッドとして使用することができる。
請求項(抜粋):
絶縁基材の少なくとも片面には少なくともバンプが形成され、前記絶縁基材の少なくとも片面または/および内部には少なくとも1層の導体回路が配線され、前記バンプと導体回路の間または/および各導体回路間にはそれらを電気的に接続する導通構造が形成されている回路基板において、少なくとも前記バンプは、少なくとも2種類の導電材料を順次電着して成る多層構造体であることを特徴とする回路基板。
IPC (3件):
H01L 23/12
, G01R 1/06
, G01R 1/073
FI (5件):
H01L 23/12 L
, G01R 1/06 F
, G01R 1/073 F
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (3件)
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回路基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-291299
出願人:京セラ株式会社
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特開平1-289274
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バンプの形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-040806
出願人:関西日本電気株式会社
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