ポリチオフェン類

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004785
公開番号（公開出願番号）：特開2003-268083
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ装置のような超小形電子装置の用途に有用な、ポリチオフェン類などの半導体ポリマーを提供する。【解決手段】下記化1の構造式(III)を持つポリチオフェンであって、【化1】式中Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、a及びcは、Aが置換されたチエニレンの数を示し、bはBが置換されたチエニレンの数を示し、dは0又は1であり、nはモノマーセグメントの重合度または数を示すことを特徴とするポリチオフェン類を提供した。

請求項（抜粋）：

下記化1の構造式(III)を持つポリチオフェンであって、【化1】式中Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、a及びcは、Aが置換されたチエニレンの数を示し、bはBが置換されたチエニレンの数を示し、dは0又は1であり、nはモノマーセグメントの重合度または数を示すことを特徴とするポリチオフェン類。

IPC (4件)：

C08G 61/12 , H01L 29/786 , H01L 51/00 , H01B 1/12

FI (4件)：

C08G 61/12 , H01B 1/12 F , H01L 29/78 618 B , H01L 29/28

Fターム (32件)：

4J032BA03 , 4J032BA21 , 4J032BB06 , 4J032BB09 , 4J032BC03 , 4J032BC12 , 4J032CG01 , 5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第6,150,191号
米国特許第6,107,117号
米国特許第5,969,376号

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審査官引用 (3件)

ポリチオフェン類及びその調製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-006211 出願人：ゼロックス・コーポレーション
多重ブロック共重合体を基材とする波長可変性発光ダイオード、それに適した重合体およびオリゴマー
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-515043 出願人：リュークスウニヴェルシテートテグロニンゲン
導電性ポリマー/ヌクレオチドコポリマー、その製造方法及びその用途
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-521751 出願人：シスバイオインターナショナル

引用文献：

出願人引用 (2件)

The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

審査官引用 (2件)

The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

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