高出力レ-ザ-ダイオ-ドの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145800
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223782
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】従来技術より単純で、時間と費用を節約できる、高出力レーザーダイオードの製造方法を提供すること。【解決手段】高出力レーザーダイオードの製造方法は、アクティブ層、クラッド層、およびキャップ層からなるエピタキシ・ウェファを用意するステップ、エピタキシ・ウェファをリッジストライプ形状にエッチングするステップ、リッジストライプを埋め込むための非晶質電流ブロッキング層を形成するステップ、さらに、金属被膜プロセスを実行するプロセスからなる。

請求項（抜粋）：

活性層、クラッド層、およびキャップ層からなるエピタキシ・ウェファを用意するステップと、リッジストライプを形成するために前記エピタキシ・ウェファをエッチングするステップと、前記リッジストライプを埋め込むための非晶質電流ブロッキング層を形成するステップと、金属被覆プロセスをさらに実行するステップと、からなることを特徴とする高出力レーザーダイオードの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-118718 出願人：シャープ株式会社
特開平3-032079
特開昭60-163489

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