特許
J-GLOBAL ID：200903054123776451
半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118718
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316577
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体発光素子の製造方法において、生産性に大きな影響をあたえる発光部の成長工程での不良を早期に発見し、素子の良品歩留まりを向上する。【構成】 n型GaAs基板(ウエハ)1上に、エピタキシャル成長により、バッファ層20を形成した後、続いて、n型下クラッド層21、活性層22、p型上クラッド層23等を順次結晶成長する工程と、その後、該基板1上に形成された活性層22をウエハ状態で光励起し、該活性層22からの発光光の減衰時間である蛍光寿命の測定により、該エピタキシャル成長を行った基板の良品選別を行う工程と、その後、該良品と判定された基板に対して、素子構造の形成処理を行う工程とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にエピタキシャル成長により、活性層を含む発光部を形成する工程と、該半導体基板上に形成された活性層をウエハ状態で光励起し、該活性層からの発光光の減衰時間である蛍光寿命の測定により、該エピタキシャル成長を行った基板の良品選別を行う工程と、その後、該良品と判定された基板に対して、素子構造の形成処理を行う工程とを含む半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01L 21/66
H01S 3/18
, H01L 33/00 A
, H01L 21/66 X
