特許
J-GLOBAL ID：200903030218363506
エッチング剤及びエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207820
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064065
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】次世代の半導体において絶縁材料として用いられる酸化ハフニウム及び/又は酸化ジルコニウムは、耐エッチング性が高いため、周辺の他の半導体材料を侵すことなくエッチング加工することが出来なかった。【解決手段】フッ化ケイ素を含んでなるエッチング剤では、他の半導体材料を侵すことなく、酸化ハフニウム及び/又は酸化ジルコニウムを溶解することができる。フッ化珪素としては、四フッ化ケイ素及び/又はヘキサフルオロケイ酸が好ましく、またそれに硫酸、硝酸、塩酸等の無機酸を加えるとさらにエッチング速度が高められる。
請求項（抜粋）：
フッ化ケイ素を含んでなる酸化ジルコニウム及び/又は酸化ハフニウムのエッチング剤。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/308 E
, H01L29/78 301F
, H01L29/78 301G
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F140AA00
, 5F140AA39
, 5F140BD11
, 5F140BE10
, 5F140BE14
