特許
J-GLOBAL ID：200903030223071718

表面微細凹凸組織の低温形成法および当該組織を有する基体

発明者：
南 努

南 努 について

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忠永 清治

忠永 清治 について

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松田 厚範

松田 厚範 について


出願人/特許権者：
南 努

南 努 について

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忠永 清治

忠永 清治 について

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松田 厚範

松田 厚範 について


代理人 (1件)： 辰巳砂 昌弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193858
公開番号（公開出願番号）：特開2001-017907
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】【課題】従来技術では微細凹凸組織を有する薄膜を作製するためには、通常400°C以上の熱処理を必要とした。即ち、有機高分子をはじめとする耐熱性の比較的低い基体には、その表面に微細凹凸組織を付与できず、もって超撥水?超親水表面は形成できないという極めて大きな問題を解決する。【解決手段】本発明は、アルミニウムアルコキシドの安定化剤や有機添加物を、従来の熱処理による燃焼?分解で除去するのではなく、温水処理によって溶出させ除去している。さらに溶出させる温水の温度を制御することによって、溶出と同時にベーマイトよりなる微細凹凸組織の形成を可能にしている。すなわち、本発明は、基体上にアルミニウム化合物を含む溶液を基体に塗布して、アルミニウム化合物の皮膜を形成し、これを特に熱処理することなく温水に浸漬することを特徴とする表面微細凹凸組織の低温形成法とその凹凸組織を有する基体を提供する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム化合物を含む溶液を基体に塗布して、皮膜を形成し、これを特に熱処理することなく温水に浸漬することを特徴とする表面微細凹凸組織の低温形成法
IPC (11件)：
B05D 3/00 ,  B01J 35/02 ,  B05D 7/24 302 ,  B05D 7/24 ,  B32B 9/00 ,  B32B 31/00 ,  B32B 33/00 ,  C01F 7/02 ,  C01F 7/36 ,  C09K 3/18 ,  C09K 3/18 101
FI (11件)：
B05D 3/00 A ,  B01J 35/02 J ,  B05D 7/24 302 E ,  B05D 7/24 302 A ,  B32B 9/00 Z ,  B32B 31/00 ,  B32B 33/00 ,  C01F 7/02 Z ,  C01F 7/36 ,  C09K 3/18 ,  C09K 3/18 101
Fターム (92件)：
4D075BB28Z ,  4D075BB32Z ,  4D075CA37 ,  4D075CB21 ,  4D075DB02 ,  4D075DB04 ,  4D075DB07 ,  4D075DB12 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB18 ,  4D075DB43 ,  4D075DB48 ,  4D075DB50 ,  4D075DC01 ,  4D075DC15 ,  4D075DC50 ,  4D075EA07 ,  4D075EB01 ,  4D075EB13 ,  4D075EB60 ,  4D075EC60 ,  4F100AA19 ,  4F100AB10B ,  4F100AH02B ,  4F100AH08B ,  4F100AK01A ,  4F100AK45 ,  4F100AK80B ,  4F100AR00C ,  4F100AR00D ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100DD07B ,  4F100EA061 ,  4F100EH112 ,  4F100EH462 ,  4F100EJ582 ,  4F100EJ862 ,  4F100GB08 ,  4F100GB31 ,  4F100GB90 ,  4F100JB05 ,  4F100JB06 ,  4F100JB06C ,  4F100JB09B ,  4F100JL08D ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4G069AA08 ,  4G069BA01A ,  4G069BA01B ,  4G069BA01C ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA04C ,  4G069BA27A ,  4G069BA27B ,  4G069BA27C ,  4G069BA37 ,  4G069BE32A ,  4G069BE32B ,  4G069BE32C ,  4G069CD10 ,  4G069EA07 ,  4G069EB01 ,  4G069EC22X ,  4G069EC22Y ,  4G069ED01 ,  4G069ED02 ,  4G069EE06 ,  4G069FB13 ,  4G069FB23 ,  4G069FB73 ,  4G076AA02 ,  4G076AB13 ,  4G076AC08 ,  4G076BA13 ,  4G076BA43 ,  4G076BC02 ,  4G076BE11 ,  4G076BF02 ,  4G076CA18 ,  4G076DA30 ,  4H020AA01 ,  4H020AB02 ,  4H020BA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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