特許
J-GLOBAL ID：200903030229493690
基板加熱装置及び基板加熱方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273213
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102276
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 被加熱薄膜を選択的に加熱することが可能な基板加熱装置において、精度のよい温度制御を行うことを可能にする。【解決手段】 ベース基板1b上に薄膜1aが形成された被処理基板1を加熱する基板加熱装置であって、被処理基板の薄膜を選択的に加熱可能な加熱部3と、薄膜の温度T1及びベース基板の温度T2に関連する温度情報を検出する温度検出部2a、2bと、薄膜の処理温度Ts、温度検出部で検出された温度情報から得られる薄膜の温度T1及びベース基板のT2に基づいて加熱部を制御する制御部7とを備える。
請求項（抜粋）：
ベース基板上に薄膜が形成された被処理基板を加熱する基板加熱装置であって、前記被処理基板の前記薄膜を選択的に加熱可能な加熱部と、前記薄膜の温度T1及び前記ベース基板の温度T2に関連する温度情報を検出する温度検出部と、前記薄膜の処理温度Ts、前記温度検出部で検出された温度情報から得られる前記薄膜の温度T1及び前記ベース基板の温度T2に基づいて前記加熱部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 568
, H01L 21/26 T
