特許
J-GLOBAL ID：200903030264715190

シリコンウエハの表面処理方法,無臭シリコンウエハ製造方法,シリコンウエハの酸化膜形成方法,酸化シリコンウエハ製造方法,酸素活性種雰囲気形成装置,及び平坦化処理システム

発明者：
柳澤 道彦

柳澤 道彦 について

, 
佐土原 毅

佐土原 毅 について


出願人/特許権者：
スピードファム株式会社

スピードファム株式会社 について


代理人 (1件)： 塚原 孝和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320892
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144072
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 局部エッチング後の表面汚染されたシリコンウエハを短時間で表面汚染除去することができ、また、平坦化されたシリコンウエハのさらなる汚染を防止することができるシリコンウエハの表面処理方法,シリコンウエハ製造方法,シリコンウエハの酸化膜形成方法,酸化シリコンウエハ製造方法,酸素活性種雰囲気形成装置,及び平坦化処理システムを提供する。【解決手段】 局部エッチングガス供給器4によって放電管30内に供給された六フッ化硫黄ガスをプラズマ発生器3で放電させてフッ素活性種Gを生成し、このフッ素活性種Gをノズル部30aを介してシリコンウエハWの表面に噴射して局部エッチングする。しかる後、酸素ガス供給器5によって放電管30内に供給された酸素ガスをプラズマ発生器3で放電させて酸素活性種G1を生成し、この酸素活性種G1をチャンバ1内に充満させて、局部エッチング処理済みのシリコンウエハWを汚染除去し、または、シリコンウエハW全面に酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
フッ素化合物のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝して、シリコンウエハに付着した硫黄または炭素系化合物を取り除くことにより、シリコンウエハの表面処理を行う、ことを特徴とするシリコンウエハの表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/302 N
Fターム (23件)：
5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB24 ,  5F004BC03 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BD07 ,  5F004CA01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004FA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BE04 ,  5F058BF62 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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