特許
J-GLOBAL ID：200903030325601525

ショットキーバリアダイオード

発明者：
土居 弥寿彦

土居 弥寿彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228577
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049580
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 耐圧を確実に確保しながら、順方向降下電圧が低くすることが出来るショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】 低濃度N型エピタキシャル層2に、深さ2μm、不純物濃度1×1016/cm3〜6×1017/cm3程度の高濃度P型ガードリング領域5を形成することにより、耐圧を高くすることが可能となる。さらにガードリング領域5の表面に、深さ0.5μm、不純物濃度1×1020/cm3〜6×1021/cm3程度の高濃度P型領域8を形成することにより、耐圧を高くするのみでなく静電気サージ耐量も確保できることとなる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1導電型高濃度半導体基板上に第1導電型低濃度層が形成され、前記第1導電型低濃度層の表面領域に第2導電型低濃度層が環状に形成され、前記第1導電型低濃度層及び前記第2導電型低濃度層とに接する金属層が形成され、前記第1導電型低濃度層と前記第2導電型低濃度層の一部とを被覆し、かつ前記金属層と接する絶縁層が形成されたショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (1件)：
H01L29/48 E
Fターム (12件)：
4M104AA01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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