特許

J-GLOBAL ID：200903030332213689

半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法

発明者： 福住 嘉晃
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207570
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064050
出願日： 2003年08月14日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】チップサイズを低減できる半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法を提供すること。【解決手段】第1強磁性膜と、前記第1強磁性膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2強磁性膜とを備える磁気抵抗素子20を含む複数のメモリセルと、前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子20と近接しつつ離隔して設けられた第1配線WWLと、書き込み動作時において、前記第1配線WWLに第1電流を供給して、前記磁気抵抗素子20の周囲に磁場を形成する第1電流ドライバ回路18、19と、書き込み動作時及び読み出し動作時において、前記絶縁膜を介して前記第1、第2強磁性膜間に第2電流を供給する第2電流ドライバ回路14、17とを具備することを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1強磁性膜と、前記第1強磁性膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2強磁性膜とを備える磁気抵抗素子を含む複数のメモリセルと、 前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子と近接しつつ離隔して設けられた第1配線と、 書き込み動作時において、前記第1配線に第1電流を供給して、前記磁気抵抗素子の周囲に磁場を形成する第1電流ドライバ回路と、 書き込み動作時及び読み出し動作時において、前記絶縁膜を介して前記第1、第2強磁性膜間に第2電流を供給する第2電流ドライバ回路とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140

Fターム (18件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA11 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA27 ,  5F083LA29 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性体メモリの熱補助駆動方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250200   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265663   出願人：株式会社東芝