特許
J-GLOBAL ID：200903076772417227

強磁性体メモリの熱補助駆動方法

発明者：
平井 匡彦

平井 匡彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250200
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060173
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 従来のMRAMは、セル面積を小さくしていくと、強磁性体の反磁場が大きくなり、より大きな書き換え磁場を与える必要がある。したがって、書き込み配線に流すべき電流量が増大する結果となり、セル面積を小さくするにしたがって書き込み配線の電流密度は、劇的に大きくなる。【解決手段】 それぞれが第1および第2の強磁性体膜を有し、該第1および第2の強磁性体膜の磁化方向が平行である場合と、反平行である場合とで異なる電気抵抗値を示す複数の可変抵抗器に、情報書き込みの際に、選択された可変抵抗器に電流を流し、可変抵抗器の温度を常温より高くして、情報書き込みを行う強磁性体メモリの熱補助駆動方法により解決する。
請求項（抜粋）：
それぞれが第1および第2の強磁性体膜を有し、該第1および第2の強磁性体膜の磁化方向が平行である場合と、反平行である場合とで異なる電気抵抗値を示す複数の可変抵抗器を有する強磁性体メモリの駆動方法であって、情報書き込みの際に、選択された前記可変抵抗器に電流を流し、前記可変抵抗器の温度を常温より高くして、情報書き込みを行う強磁性体メモリの熱補助駆動方法。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G11C 11/14 E ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (11件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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