特許

J-GLOBAL ID：200903030335459018

電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板

発明者： 笹島 裕一 ,  石原 敏雄 ,  福原 昇 ,  秦 雅彦
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230097
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074106
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電界効果トランジスタ(FET)特性と密接に関係する基板とバッファ層の界面の影響を抑制し、高耐電圧、高品質FET用エピタキシャル基板を提供する。【解決手段】原料として有機金属及び/又は水素化物を用いた熱分解気相成長法により作製され、半絶縁性のGaAs基板6とバッファ層4と電子走行層3、コンタクト層1がこの順に積層された電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板である。バッファ層4は残留キャリア濃度が1×1016cm-3以下の高抵抗層であり、基板6とバッファ層との間に5×1011cm-2以下のアクセプタ濃度を有し、空乏化したP型のAlxGa1-xAs層5を有している。さらに電子走行層3とコンタクト層1との間に電子供給層2を有する基板、また上記層5に炭素をドーピングしたFET用エピタキシャル基板である。

請求項（抜粋）：

原料として有機金属及び/又は水素化物を用いた熱分解気相成長法により作製され、基板とバッファ層と電子走行層とコンタクト層とがこの順に積層してなる電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板において、該基板が半絶縁性GaAs基板であり、該バッファ層がその残留キャリア濃度が1×10<SP></SP><SP>16</SP>cm<SP>-3</SP>以下の高抵抗のバッファ層であり、かつ該基板と該バッファ層との間に、5×10<SP>11</SP>cm<SP>-2</SP>以下のシートアクセプタ濃度を有し、空乏化したp型のAl<SB></SB><SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0<x≦1)層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャル基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-201914
  
• 化合物半導体構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-162573   出願人：富士通株式会社
• 電力用縦型電界効果デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-103296   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開平1-201914
  
• 特開平1-201914