特許
J-GLOBAL ID：200903030338007916

化合物半導体装置およびその製造方法、ならびにその化合物半導体装置を備えた光ディスク装置

発明者：
岸本 克彦

岸本 克彦 について

, 
蛭川 秀一

蛭川 秀一 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-327886
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175450
出願日： 2004年11月11日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 赤色レーザ光を出射する半導体レーザ装置を構成するのに適し、その半導体レーザ装置の低発振閾値電流と高信頼性を両立しつつ、製造工程を大幅に削減し、製造歩留りを向上できる化合物半導体装置を提供すること。【解決手段】 GaAs基板101上に積層された、Pを含みAlを含まないIII-V族化合物半導体を結晶材料とする下地半導体層107と、P、AlおよびInを含むIII-V族化合物を結晶材料とし、かつ層107の表面上に形成されたストライプ状のリッジ103をなす直上半導体層108とを備える。電極層111は、リッジ130の頂部および側面、並びに下地半導体層107の上面のうちリッジ130の側方に相当する部分を被覆している。下地半導体層107の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、下地半導体層107と電極層111との界面で電流が阻止されるように1×1017cm-3以下に設定されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に積層された、Pを含みAlを含まないIII-V族化合物半導体を結晶材料とする下地半導体層と、 P、AlおよびInを含むIII-V族化合物を結晶材料とし、かつ上記下地半導体層の表面上に形成されたストライプ状のリッジをなす直上半導体層と、 上記リッジの頂部および少なくとも一方の側面、並びに上記下地半導体層の上面のうち上記リッジの側方に相当する部分を被覆する電極層とを備え、 上記下地半導体層のうち少なくとも上記電極層と接する部分の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、上記下地半導体層と電極層との界面で電流が阻止されるように1×1017cm-3以下に設定されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (1件)：
H01S5/22
FI (1件)：
H01S5/22
Fターム (14件)：
5F173AA08 ,  5F173AA53 ,  5F173AF24 ,  5F173AF38 ,  5F173AH08 ,  5F173AJ05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AP43 ,  5F173AR24 ,  5F173AR93 ,  5F173AR94
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開昭62-200786号公報
審査官引用 (5件)
  • 特開平2-281785
  • オプトエレクトロニクス半導体デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114695   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 特開昭61-035587
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