特許
J-GLOBAL ID:200903030338141329

内側を清浄にするための自動清浄機能を有する薄膜形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-041945
公開番号(公開出願番号):特開2001-237237
出願日: 2001年02月19日
公開日(公表日): 2001年08月31日
要約:
【要約】【課題】良好な再現性を有し自動清浄シーケンスによって汚染のない薄膜の形成を実現する。【解決手段】薄膜形成装置は、(a)反応チャンバ内に与えられたサセプタ上に載置された被処理体上に薄膜を形成するための反応チャンバ、及び(b)所定の時間間隔で反応チャンバの内側へ付着した不所望の析出物を清浄にするための清浄装置を含む。該清浄装置は、(i)清浄ガスを反応チャンバ内に導入し及び清浄処置後に反応チャンバを排気するための清浄ガス制御器、(ii)ラジカル形式で清浄ガスを活性化するための清浄ガスアクチベータ、及び(iii)薄膜形成の完了後に清浄にするために所定の速度でサセプタの温度を降下させその後清浄ガス制御器及び清浄ガスアクチベータを作動させるようプログラムされた温度及びタイミング制御器を含む。
請求項(抜粋):
薄膜形成装置であって、反応チャンバ内に与えられたサセプタ上に載置された被処理体上に薄膜を形成するための反応チャンバであって、前記サセプタは被処理体を加熱するためのヒータを備え、前記反応チャンバは反応チャンバ内へ及び外へ被処理体をロードし及びアンロードするためのコンベアを備える、ところの反応チャンバと、所定の時間間隔で反応チャンバの内側に付着した不所望の析出物を清浄にするための清浄装置と、から成り、前記清浄装置が(i)反応チャンバ内に清浄ガスを導入し、清浄処置の後に反応チャンバを排気するための清浄ガス制御器と、(ii)ラジカル形式に清浄ガスを活性化するための清浄ガスアクチベータと、(iii)膜形成の完了後に清浄にするために所定の速度でサセプタの温度を降下させその後清浄ガス制御器及び清浄ガスアクチベータを作動させるようプログラムされた温度及びタイミング制御器と、から成る装置。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31
FI (3件):
C23C 16/44 J ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N
引用特許:
審査官引用 (5件)
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