化学機械的研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：徳丸達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-403101
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253775
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】酸化膜を研磨する際に用いていた研磨液でLow-k膜を研磨する場合に比べて、膜そのものの組成を分解することなくLow-k膜への研磨速度を向上すること。更に、Low-k膜を研磨した後の洗浄後の残留異物量を、酸化膜を研磨した後の洗浄後の残留異物量と同等以下にすること。【解決手段】本発明に係わる化学機械的研磨方法は、シリコンウェハ上に形成されてメチル基を含み誘電率3.0以下の低誘電率膜を、水酸基を含む研磨液を用いて研磨すること、更に研磨後に低誘電率膜の表面を完全に乾燥させることなく低誘電率膜の表面に研磨液を付着させたままシリコンウェハを洗浄することを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に設けられるメチル基を含む絶縁膜を、水酸基を含む研磨液を用いて研磨する化学機械的研磨方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04

FI (5件)：

H01L21/304 622C , H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , B24B37/04 Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

USP6423630

審査官引用 (4件)

低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-120314 出願人：クラリアン・(フランス)・ソシエテ・アノニム
低誘電率材料のための酸化性研磨スラリー
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-574186 出願人：アライドシグナル・インコーポレイテッド
半導体素子のプラグ形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-009243 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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