特許

J-GLOBAL ID：200903030358799738

オーミック電極の形成方法及び半導体発光素子

発明者： イ、ジョン ラン
出願人/特許権者： ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド ,  ポステック・ファウンデーション
代理人 (4件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-506415
公開番号（公開出願番号）：特表2009-534830
出願日： 2007年04月18日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

本発明は、基板の上に発光構造を有する半導体層を形成するステップと、前記半導体層の上に接合層、反射層及び保護層を順次に積層するステップと、熱処理工程を行うことにより前記接合層と反射層との間にオーミック接合を形成し、前記保護層の少なくとも一部に酸化膜を形成してオーミック電極を形成するステップと、を含むオーミック電極の形成方法及びこれを用いた半導体発光素子に関する。このような本発明は、光反射度に優れたAg、Al及びこれらの合金から反射層を形成することから、光利用率が向上する。また、半導体層と接合層との接触抵抗が小さなことから、高出力のための大電流を印加し易い。また、保護層が反射層の外部拡散を抑えることから、熱的安定性が高くなる。さらに、AuやPtなどの高価な金属を用いることなく、高出力が可能であることから、製造コストが節減される。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子のオーミック電極の形成方法において 基板の上に発光構造を有する半導体層を形成するステップと、 前記半導体層の上に接合層、反射層及び保護層を順次に積層するステップと、 熱処理工程を行うことにより前記接合層と反射層との間にオーミック接合を形成し、前記保護層の少なくとも一部に酸化膜を形成してオーミック電極を形成するステップと、を含むことを特徴とするオーミック電極の形成方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (13件)：

5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CA84 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-340190   出願人：三星電子株式会社, 光州科學技術院
• 窒化物系発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-069399   出願人：三星電子株式会社, 光州科學技術院
• 反射電極及びこれを備える化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-248343   出願人：三星電機株式会社, 光州科學技術院
• 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-144923   出願人：豊田合成株式会社