反射電極及びこれを備える化合物半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-248343
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074042
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】低接触抵抗、高反射率、及び向上された電気伝導性を有する反射電極を提供する。【解決手段】化合物半導体発光素子のp型化合物半導体層(20)上に形成される電極であって、p型化合物半導体層とオーミックコンタクトを形成する第1の電極層(22a)と、第1の電極層上に透明伝導性酸化物で形成される第2の電極層(22b)と、第2の電極層上に光反射物質で形成される第3の電極層(22c)と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体発光素子のp型化合物半導体層上に形成される電極であって、前記p型化合物半導体層上にオーミックコンタクトを形成する第1の電極層と、前記第1の電極層上に透明伝導性酸化物で形成される第2の電極層と、前記第2の電極層上に光反射物質で形成される第3の電極層と、を備えることを特徴とする化合物半導体発光素子の反射電極。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (8件)：

5F041AA03 , 5F041CA40 , 5F041CA82 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第WO01/47038A1号パンフレット

審査官引用 (7件)

発光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-161877 出願人：ローム株式会社
酸化物半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-302208 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-132007 出願人：ソニー株式会社

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