特許
J-GLOBAL ID：200903030368262902
半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236642
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082987
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 通常の半導体装置製造プロセスにより製造され得る、室温動作及び低消費電力動作が可能な、単一電子素子を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された導電部と、この導電部に接続され、該導電部より狭い面積を基板上に有する導電性領域からなるトンネル障壁部と、このトンネル障壁部上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成され、トンネル障壁部の実効的な電子のトンネリング抵抗を制御する電極とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された導電部と、この導電部に接続され、該導電部より狭い面積を基板上に有する導電性領域からなるトンネル障壁部とを具備する半導体素子。
引用特許：
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