混合周波数CVDプロセスおよび装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-523403
公開番号（公開出願番号）：特表2001-525604
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2001年12月11日
要約：

【要約】基板処理システム(10)は、セラミック基板ホルダ(32)、該基板ホルダ内に埋設されたRF電極を有する、および前記基板ホルダから離間されて配設されたガス入口マニフォールド(42)を含む。前記ガス入口マニフォールドは、1つまたはそれ以上のプロセスガスを、多数の円錐孔(42)を介して、処理システム内の基板処理チャンバ(30)の反応領域へ供給し、第2のRF電極としても機能する。各円錐孔は、前記反応領域内に開口する出口、および前記出口から離間して配設されて前記出口よりも直径が小さい入口を有する。混合周波数RF電源は、基板処理システムに接続され、前記ガス入口マニフォールド電極に接続された高周波RF電源および前記基板ホルダ電極に接続された低周波RF電源を有する。RFフィルタおよび整合ネットワークは、低周波波形から高周波波形を分離する。そのような構成は、拡大された処理領域を可能とし、以前には得られなかった物理特性を有する窒化シリコン被膜を含む膜の堆積を提供する。

請求項（抜粋）：

反応領域を備える堆積チャンバと、第1のRF電極を備え、1つまたはそれ以上のプロセスガスを前記反応領域へ供給するガス入口マニフォールドを含むガス配給システムであって、該ガス入口マニフォールドは、その内部に複数の孔を具備し、前記孔の各々は前記反応領域内に開口する出口および前記出口から離間して配設された入口を備え、前記出口は前記入口よりも直径が大きいガス配給システムと、基板を反応領域内に配置させる第2のRF電極を備える基板ホルダと、前記第1の電極に結合された高周波RF電源および前記第2の電極に結合された低周波RF電源を備える混合周波数RF電源と、前記低周波RF電源によって生成された波形から、前記高周波RF電源によって生成された波形を分離するフィルタおよび整合ネットワークとを具備する基板処理システム。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/505 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/505 , H05H 1/46 M , H05H 1/46 R

Fターム (34件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030EA05 , 4K030FA03 , 4K030GA02 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA18 , 4K030KA30 , 4K030KA32 , 4K030KA46 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045DC64 , 5F045DC65 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EF05 , 5F045EH05 , 5F045EH20 , 5F045GB05 , 5F045GB06 , 5F045GB08

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ化学気相成長装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-292463 出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
特開平1-139771
特開平4-035029

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審査官引用 (4件)

プラズマ化学気相成長装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-292463 出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
特開平1-139771
特開平4-035029

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