特許
J-GLOBAL ID：200903030377444207

容量回路および半導体集積回路装置

発明者：
内藤 睦博

内藤 睦博 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048055
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252428
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路装置は、各配線層間の絶縁膜の厚さを増大させるようになって来ており、絶縁膜の厚さに依存する容量回路では、占有面積の増大させることなく電源ノイズ等を十分に低減することが困難となって来ている。【解決手段】 第1の電極と、第2の電極と、該第1および第2の電極間の誘電体により構成される容量回路であって、前記第1の電極として機能する第1の配線1と、前記第2の電極として機能する第2の配線2とを、同一の配線層で隣接させて交互に複数設けるように構成する。
請求項（抜粋）：
第1の電極と、第2の電極と、該第1および第2の電極間の誘電体により構成される容量回路であって、前記第1の電極として機能する第1の配線と、前記第2の電極として機能する第2の配線とを、同一の配線層で隣接させて交互に複数設けたことを特徴とする容量回路。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/82 P ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/04 E
Fターム (31件)：
5F033HH08 ,  5F033KK08 ,  5F033RR04 ,  5F033UU05 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033VV10 ,  5F033XX23 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA04 ,  5F064BB35 ,  5F064CC23 ,  5F064EE13 ,  5F064EE15 ,  5F064EE16 ,  5F064EE17 ,  5F064EE19 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE33 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52
引用特許：
審査官引用 (3件)

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