フォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、および、半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-080124
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】エッチング耐性、耐熱性および基板接着性はもちろん、光敏感性および通常のアルカリ現像液に対する溶解可能性を備えたフォトレジスト単量体を提供する。【解決手段】下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体である。【化1】(式中、mは1または2である。)

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(式中、mは1または2である。)

IPC (2件)：

C08F 32/00 , G03F 7/039 601

FI (2件)：

C08F 32/00 , G03F 7/039 601

引用特許：

審査官引用 (6件)

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