特許
J-GLOBAL ID:200903030407005645

高熱放出用の半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-002413
公開番号(公開出願番号):特開平7-254668
出願日: 1995年01月11日
公開日(公表日): 1995年10月03日
要約:
【要約】【目的】 高熱放出用の半導体パッケージを提供する。【構成】 複数の外部リードと複数の接続ランドと各外部リードと接続ランドとを連結する配線が形成された実装基板71と、実装基板上に実装される少なくとも1つの半導体チップ74と、半導体チップのボンディングパッドと実装基板の接続ランドとを電気的に連結するボンディングワイヤ75と、半導体チップのボンディングパッドの限定された上面に熱伝導性に優れた絶縁接着剤76によって付着され、高い熱伝導性を有するヒートスプレッダー77と、ヒートスプレッダーの上面にサーマルコンパウンド78を介して密着され、半導体素子を封止するメタルキャップ79とから成る。
請求項(抜粋):
複数の外部連結リードと複数の接続ランドと各外部連結リードと接続ランドを連結する配線とを備えた実装基板と、前記実装基板上に実装される少なくとも1つの半導体チップと、前記半導体チップのボンディングパッドと前記実装基板の接続ランドを電気的に連結するボンディングワイヤと、前記半導体チップのボンディングパッドの内側の限定された上面に高い熱伝導性を有する絶縁接着剤によって付着され、高い熱伝導性を有するヒートスプレッダーと、前記ヒートスプレッダーの上面にサーマルコンパウンドを介して密着され、前記半導体素子を封止するメタルキャップとからなることを特徴とする高熱放出用の半導体パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/36 ,  H01L 23/34
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 特開平4-192552
  • 特開昭63-186453
  • 特開平3-060059
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