特許
J-GLOBAL ID：200903030418360609

マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
寺澤 恒男

寺澤 恒男 について

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手塚 好弘

手塚 好弘 について

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富江 敏尚

富江 敏尚 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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インテル・コーポレーション

インテル・コーポレーション について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358289
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193269
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】反射型マスクの多層膜中の欠陥を簡便に検査する。【解決手段】極紫外光を用いた露光処理時にパターン転写用のマスクとして用いる反射型の多層膜マスクを製造する基板となる多層膜マスクブランクスの欠陥検査に際して、最初は、相対的に低い倍率で相対的に広い範囲で多層膜マスクブランクスの多層膜形成面を検査した後(ステップ100a〜100d)、その検査ステップで発見された欠陥存在候補の位置を今度は相対的に高い倍率で詳細に検査する(ステップ102a〜102f)。これにより、多層膜マスクブランクスの多層膜の欠陥を高感度、高速かつ簡便に検査できる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
マスクの製造方法において、 (a)マスク基板に多層膜を堆積する工程と、 (b)前記マスク基板の多層膜の形成面を検査する工程と、 (c)前記マスク基板の多層膜の形成面に吸収体パターンを形成してマスクを製造する工程とを有し、 前記(b)工程は、 (b1)前記マスクを用いた露光処理時に用いる露光光と同じ波長の極紫外光を前記マスク基板の多層膜の形成面に照射する工程と、 (b2)前記(b1)工程により多層膜から反射された反射光を結像光学系を介してセンサで検出する工程と、 (b3)前記(b1)、(b2)の工程で検出された第1領域の位置情報を記憶する工程とを有し、前記結像光学系の倍率を変えて検査する工程を有することを特徴とするマスクの製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F1/16
FI (3件)：
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A ,  H01L21/30 517
Fターム (8件)：
2H095BA10 ,  2H095BB11 ,  2H095BD03 ,  5F046BA05 ,  5F046CB17 ,  5F046GA02 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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