特許
J-GLOBAL ID:200903018529157381
欠陥観察方法及び欠陥観察装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
杉村 興作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-155215
公開番号(公開出願番号):特開2002-350731
出願日: 2001年05月24日
公開日(公表日): 2002年12月04日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 100nm程度の微細な欠陥を高倍率観察モードにおいて簡単な作業で観察できる欠陥観察方法を提供する。【解決手段】 欠陥検査すべき基板の表面を光ビームで走査し、欠陥及びそのアドレス座標を検出する。観察された欠陥及びそのアドレス座標を用い、欠陥を光学的に観察する。この光学観察で高倍率モードでの観察が必要であると判断した場合、欠陥の位置を指示するマークを、基板の欠陥の付近に機械的手段を用いて凹部として形成する。観察において欠陥の位置を示すアラインメントマークとしての機能を果たす。次低倍率観察モード及び高倍率観察モードを有する顕微鏡装置を用い、低倍率観察モードで前記欠陥を指示するマークを検出し、さらに高倍率観察モードにおいて、検出したマークを用いて観察すべき欠陥を視野内に位置させ、微細欠陥を高倍率観察モードで観察する工程とを具える。
請求項(抜粋):
基板の表面領域に存在する欠陥を観察するに際し、検査すべき基板の表面を光ビームにより走査して欠陥を検出する第1の観察工程と、検出された欠陥の位置を指示するために欠陥の近傍にマーキングを行うマーキング工程と、当該マーキングを目印として、検出された欠陥を第1の観察工程の倍率よりも高い倍率で観察する第2の観察工程とを具えることを特徴とする欠陥観察方法。
IPC (6件):
G02B 21/00
, G01N 21/956
, G01N 23/04
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, G03F 1/08
FI (6件):
G02B 21/00
, G01N 21/956 A
, G01N 23/04
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, G03F 1/08 S
Fターム (27件):
2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA09
, 2G001BA11
, 2G001CA03
, 2G001GA01
, 2G001GA06
, 2G001HA09
, 2G001HA13
, 2G001KA03
, 2G001LA11
, 2G001RA01
, 2G001RA20
, 2G051AA51
, 2G051AB07
, 2G051AC02
, 2G051BA10
, 2G051BC05
, 2G051CA03
, 2G051CB05
, 2G051DA15
, 2H052AE11
, 2H052AF02
, 2H095BA01
, 2H095BD04
, 2H095BD11
, 2H095BD21
引用特許:
審査官引用 (10件)
-
ウェハ検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-163205
出願人:株式会社日立製作所
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レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-045752
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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欠陥検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-199031
出願人:レーザーテック株式会社
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