特許
J-GLOBAL ID：200903030421708381

半導体ウェーハ用検査装置

発明者：
涌井 正幸

涌井 正幸 について

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中村 由美夫

中村 由美夫 について

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江澤 克和

江澤 克和 について


出願人/特許権者：
オリオン機械株式会社

オリオン機械株式会社 について

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松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 下田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337148
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141380
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】加圧力不足を生じることなく検査の信頼性を高めるとともに、高密度メモリ等の接点数の多い半導体ウェーハの検査にも余裕をもって適用できるようにして汎用性及び発展性を高める。【解決手段】検査装置本体2に収容したカセットCに保持された半導体ウェーハWとプローブ端子P...を負圧により吸引する吸引手段3に加えて、半導体ウェーハWとプローブ端子P...を圧力流体Aにより加圧する流体加圧手段4を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを保持し、かつ半導体ウェーハ上の電極に一括してプローブ端子を接触させるカセットと、このカセットを収容し、かつ前記プローブ端子に接続して前記半導体ウェーハの検査を行う検査装置本体を備える半導体ウェーハ用検査装置において、前記検査装置本体に収容した前記カセットに保持された前記半導体ウェーハと前記プローブ端子を負圧により吸引する吸引手段に加えて、前記半導体ウェーハと前記プローブ端子を圧力流体により加圧する流体加圧手段を設けたことを特徴とする半導体ウェーハ用検査装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28
FI (4件)：
H01L 21/66 B ,  G01R 31/26 Z ,  G01R 31/28 H ,  G01R 31/28 K
Fターム (17件)：
2G003AA10 ,  2G003AD09 ,  2G003AG04 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G032AE03 ,  2G032AE11 ,  2G032AF04 ,  2G032AL03 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DD06 ,  4M106DD10 ,  4M106DD30 ,  4M106DJ02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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