半導体素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175312
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353964
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 MOSFETとショットキーダイオードとを一体化した半導体素子において、素子面積の縮小化を図り、しかもスイッチング時の損失と定常損失とを合わせた総損失を低減する。【解決手段】ショットキー電極11のn型ドリフト層2上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さLsが、p型ボディ領域3とデプレッション領域5またはp型ボディ領域とトレンチ領域とからなるMOSFET部の長さLmの20%〜60%である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型半導体基板上に設けられたn型ドリフト層、前記n型ドリフト層上の一部にそれぞれ設けられたp型ボディ領域およびデプレッション領域、前記p型ボディ領域の中に選択的に形成されたn型ソース領域、少なくともゲート絶縁膜を介し、前記n型ソース領域と前記p型ボディ領域と前記デプレッション領域とにまたがって設けられたゲート電極、前記n型ソース領域と前記p型ボディ領域とにまたがって設けられたソース電極、前記n型半導体基板の前記n型ドリフト層と反対側に設けられたドレイン電極、並びに、前記p型ボディ領域の前記デプレッション領域と反対側に、前記p型ボディ領域と前記n型ドリフト層とにまたがって設けられたショットキー電極を備え、前記ショットキー電極の前記n型ドリフト層上に存在する部分の長さで定義されるショットキーダイオード部の長さが、前記p型ボディ領域と前記デプレッション領域とを合わせたMOSFET部の長さの20%〜60%であることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/872

FI (4件)：

H01L29/78 657D , H01L29/78 652S , H01L29/78 653A , H01L29/48 F

Fターム (14件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化ケイ素トレンチMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010272 出願人：富士電機株式会社
MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-258599 出願人：日本電信電話株式会社

前のページに戻る