特許

J-GLOBAL ID：200903030456465996

ガラス基板の洗浄液及び洗浄方法

発明者： 末松 孝章 ,  佐原 輝隆 ,  北田 由光
出願人/特許権者： 日立プラント建設株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-095072
公開番号（公開出願番号）：特開2001-276759
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月09日
要約：

【要約】【課題】 ガラス基板の表面に付着した研磨粒子の除去性能が優れたガラス基板の洗浄液及び洗浄方法を提供する。【解決手段】 予備洗浄工程、1次薬液洗浄工程、2次薬液洗浄工程、リンス工程、乾燥工程の5工程からなるガラス基板の精密洗浄において、1次薬液洗浄工程では洗浄槽20内にガラス基板12を浸漬し、洗浄液21として50〜200mg/Lのふっ化水素と5mg/L以上のオゾンを溶存した洗浄液を用い、超音波洗浄する。

請求項（抜粋）：

50〜200mg/Lのふっ化水素と5mg/L以上のオゾンを溶存したことを特徴とするガラス基板の洗浄液。

IPC (5件)：

B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/10

FI (5件)：

B08B 3/08 Z ,  B08B 3/12 Z ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/10

Fターム (23件)：

3B201AA03 ,  3B201AB44 ,  3B201BB04 ,  3B201BB05 ,  3B201BB85 ,  3B201BB89 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201CA01 ,  3B201CB15 ,  3B201CC01 ,  3B201CC11 ,  3B201CC21 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003DC04 ,  4H003EA05 ,  4H003EA21 ,  4H003EA22 ,  4H003EA23 ,  4H003EA31 ,  4H003ED02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-191259   出願人：ホーヤ株式会社
• 特開昭50-045465
  
• シリコンウェハの洗浄方法、洗浄装置、洗浄されてなるシリコンウェハおよび洗浄されてなる半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-266263   出願人：三菱電機株式会社
• シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-248266   出願人：新日本製鐵株式会社