特許
J-GLOBAL ID：200903069722357677
シリコンウェハの洗浄方法、洗浄装置、洗浄されてなるシリコンウェハおよび洗浄されてなる半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266263
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307498
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 地球環境にやさしいシリコンウェハの洗浄方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 フッ化水素とオゾンが溶解した水溶液からなる洗浄液41液中にシリコンウェハ1を浸漬する。
請求項（抜粋）：
フッ化水素の濃度が0.0001重量%以上である、フッ化水素とオゾンが溶解した水溶液からなる洗浄液中にシリコンウェハを浸漬することを特徴とするシリコンウェハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 647
, H01L 21/304 642
H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 642 E
