特許
J-GLOBAL ID：200903047203602407
シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248266
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098018
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明の洗浄液は半導体製造工程において、汚染金属量を低減するとともに、洗浄中に生じる液中浮遊粒子の付着を非常に少なくし、かつ、表面酸化膜形成により親水性とするシリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液を提供する。【解決手段】 フッ化水素とオゾンを含む溶液において、フッ化水素濃度が重量%で0.05以上〜0.80未満の範囲において、[オゾン濃度(ppm)]≧1+54×[フッ化水素濃度(重量%)]2の条件式を満たすシリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液である。
請求項（抜粋）：
フッ化水素とオゾンを含む溶液において、フッ化水素濃度が重量%で0.05以上〜0.80未満であり、[オゾン濃度(ppm)]≧1+54×[フッ化水素濃度(重量%)]2の条件式を満たすことを特徴とするシリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液。
引用特許：
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