被測定デバイスの故障解析方法、故障解析装置及び故障解析システム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219758
公開番号（公開出願番号）：特開平10-062502
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】解析者が設計者に頼らず、発光解析装置での簡単かつ高精度、短時間での故障箇所特定を実現する故障解析方法及び装置を得る。【解決手段】発光解析装置4により検出された発光像5上の発光箇所7の座標を自動認識し(ステップS5)、その座標をレイアウトパターン(データ)上の座標に自動変換(ステップS7)し、レイアウトパターン8上の発光箇所10を自動表示(ステップS11)し、レイアウトパターン上の座標から発光箇所のネットリスト(データ)上のノード名を自動認識(ステップS12)し、ネットリストll上に発光ノード名LNとして自動表示(ステップS13)し、さらに発光ノード名LNから回路図(データ)上の発光ノードを回路図CF上に発光箇所14として自動表示(ステップS15)する。

請求項（抜粋）：

(a)被測定デバイスにおける所定の2次元位置を原点に設定するステップと、(b)発光解析装置を用いて前記被測定デバイスの動作時における発光像を得、該発光像から前記被測定デバイスの発光箇所を検出するステップと、(c)前記発光像と前記原点との位置関係に基づき、前記発光箇所の前記原点からの座標である被測定デバイス発光座標を認識するステップと、を備える被測定デバイスの故障解析方法。

IPC (2件)：

G01R 31/302 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 31/28 L , H01L 21/66 B , H01L 21/66 C , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体素子不良箇所検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-104181 出願人：シヤープ株式会社
特開昭57-154003
IC不良解析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-304747 出願人：株式会社アドバンテスト

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