特許
J-GLOBAL ID：200903030464736605
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235154
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097294
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】サリサイド構造を有するCMOSトランジスタの微細化に適した製造方法を提供する。【構成】多結晶シリコン膜パターン106aa,106ab,N+ 型拡散層108およびP+ 型拡散層109表面を覆う自然酸化膜を除去した後、ECR-PECVD装置に少くともTiCl4 ガスとH2 ガスとを導入し、600°C程度の温度で多結晶シリコン膜パターン106aa,106abの上面とN+ 型拡散層108およびP+ 型拡散層109の表面とにそれぞれチタン・シリサイド膜111a,111bを選択的に成長させる。これらのチタン・シリサイド膜111a,111bの結晶構造は、C54である。
請求項（抜粋）：
N型領域およびP型領域が設けられたシリコン基板の表面の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成し、該シリコン基板の表面の素子形成領域にゲート酸化膜を形成し、該N型領域上およびP型領域上のゲート電極形成予定領域にそれぞれN型の多結晶シリコン膜パターンを形成し、該多結晶シリコン膜パターンの側面に絶縁膜スペーサを形成する工程と、前記フィールド酸化膜,前記多結晶シリコン膜パターンおよび絶縁膜スペーサ等をマスクにしたイオン注入と熱処理とにより、前記N型領域に少くともP型拡散層を形成し,前記P型領域に少くともN型拡散層を形成する工程と、多結晶シリコン膜パターン,P型拡散層およびN型拡散層の表面を覆う自然酸化膜を除去する工程と、マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ励起気相成長装置もしくはヘリコン波によるプラズマ励起気相成長装置に少くとも4塩化チタンガスと水素ガスとを導入し、前記多結晶シリコン膜パターン,P型拡散層およびN型拡散層の表面に選択的にチタン・シリサイド膜を形成し,少くとも前記フィールド酸化膜および絶縁膜スペーサの表面にチタン膜もしくは窒化チタン膜を形成する工程と、前記チタン膜もしくは窒化チタン膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, C23C 16/50
, H01L 21/285 301
