特許
J-GLOBAL ID：200903030476938793
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192672
公開番号（公開出願番号）：特開平9-023039
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【目的】 ミスフィット転位の導入を抑制して劣化を防止する。メサストライプ形状を精度よく形成しうるようにして特性のバラツキを抑える。【構成】 n-GaAs基板1上にストライプ状の開口部を有する誘電体マスクを形成し、MOVPE法によりn-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層3、In0.2 Ga0.8 As-SCH活性層4、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、p-GaAs保護層6順次成長させる。誘電体マスクを除去し、MOVPE法により、n-Al0.4 Ga0.6 As埋め込み層7、p-GaAs埋め込み層8を成長させ、その上に絶縁膜12を全面に堆積し、ストライプ上部の絶縁膜12を除去する。絶縁膜12をマスクとして、Znをドープしてp+ -拡散層9を形成する。n側電極10、p側電極11を形成した後、へき開を行う。
請求項（抜粋）：
(1)GaAs基板上にストライプ状の開口を有する誘電体マスクを形成する工程と、(2)有機金属気相成長法によりn型クラッド層、Al<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> As量子井戸層(但し、0≦x<1、0<y,1-x-y<1)またはGa<SB>u</SB> In<SB>1-u</SB> As<SB>v</SB> P<SB>1-v</SB> 量子井戸層(但し、0<u<1、0≦v<1)を含むSCH活性層およびp型クラッド層を選択的に成長させる工程と、(3)前記誘電体マスクを除去し、前記第(2)の工程において形成したクラッド層および活性層を埋め込む埋め込み層を形成する工程と、を含む半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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