半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147602
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097510
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】リッジの加工精度を容易に向上させるとともに、電流の横方向の広がりを抑制して低しきい値化,および高出力化を図ることができる半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザを提供する。【構成】半導体基板1の(100)面上に、〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスク2を形成し、これをマスクとしてバッファ層3,n型クラッド層4,活性層5,p型クラッド層6,バンド不連続緩和層7,キャップ層8を順次選択成長させて、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状で、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形であるリッジ50を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板の{100}面上に〈011〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開平3-183182
特開平2-137316
特開平3-227086

全件表示

前のページに戻る