特許

J-GLOBAL ID：200903030495778144

トレンチショットキー整流器

発明者： フシエフ、フュー-イウアン ,  チェン、マックス ,  ソー、クーン、チョング ,  ツイ、ヤン、マン
出願人/特許権者： ゼネラル セミコンダクター,インク.
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524229
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521480
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

ショットキー整流器を提供する。ショットキー整流器は、(a)互いに反対面となる第1及び第2の面と、第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、第2の面に隣接し、カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、(b)第2の面から半導体領域内に延び、半導体領域内に1以上のメサを画定する1以上のトレンチと、(c)トレンチの下部に設けられ、半導体領域に隣接する絶縁領域と、(d)(1)第2の面において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(2)トレンチの上部において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(3)トレンチの下部において、絶縁領域に隣接するアノード電極とを備える。

請求項（抜粋）：

互いに反対面となる第1及び第2の面と、上記第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、上記第2の面に隣接し、上記カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、 上記第2の面から上記半導体領域内に延び、該半導体領域内に1以上のメサを画定する1以上のトレンチと、 上記トレンチの下部に設けられ、上記半導体領域に隣接する絶縁領域と、 (a)上記第2の面において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(b)上記トレンチの上部において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(c)上記トレンチの下部において、上記絶縁領域に隣接するアノード電極とを備えるショットキー整流器。

IPC (2件)：

H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (1件)：

H01L29/48 F

Fターム (12件)：

4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ショットキーバリア半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298119   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭56-002625
  
• 特開昭56-002625
  
• シヨツトキーバリア半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098677   出願人：株式会社村田製作所
• ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240170   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭56-002625