トレンチショットキー整流器

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小池晃 , 田村榮一 , 伊賀誠司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524229
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521480
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

ショットキー整流器を提供する。ショットキー整流器は、(a)互いに反対面となる第1及び第2の面と、第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、第2の面に隣接し、カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、(b)第2の面から半導体領域内に延び、半導体領域内に1以上のメサを画定する1以上のトレンチと、(c)トレンチの下部に設けられ、半導体領域に隣接する絶縁領域と、(d)(1)第2の面において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(2)トレンチの上部において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(3)トレンチの下部において、絶縁領域に隣接するアノード電極とを備える。

請求項（抜粋）：

互いに反対面となる第1及び第2の面と、上記第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、上記第2の面に隣接し、上記カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、上記第2の面から上記半導体領域内に延び、該半導体領域内に1以上のメサを画定する1以上のトレンチと、上記トレンチの下部に設けられ、上記半導体領域に隣接する絶縁領域と、 (a)上記第2の面において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(b)上記トレンチの上部において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(c)上記トレンチの下部において、上記絶縁領域に隣接するアノード電極とを備えるショットキー整流器。

IPC (2件)：

H01L29/47 , H01L29/872

FI (1件)：

H01L29/48 F

Fターム (12件)：

4M104BB01 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB30 , 4M104BB40 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD43 , 4M104FF31 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

ショットキーバリア半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-298119 出願人：株式会社村田製作所
特開昭56-002625
シヨツトキーバリア半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-098677 出願人：株式会社村田製作所

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