特許

J-GLOBAL ID：200903030510445076

銅の成膜方法及び銅めっき液

発明者： 大久保 利一 ,  関口 淳之輔
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093852
公開番号（公開出願番号）：特開平11-269693
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハー上にもしくはその上に形成されたバリアメタル上にシード層となる銅を密着性よく析出させる成膜方法の確立。【解決手段】 半導体ウェハー上にもしくはTa、Ti、W、およびこれらの窒化物またはシリサイドを表面に成膜してある半導体ウェハー上にシード層としての銅の成膜方法であって、半導体ウェハーをフッ化水素酸及びフッ化銅(II)もしくはフッ化銅(I)を含む溶液に浸漬することによりもしくは溶液中で電気めっきすることによりウェハー上に銅を析出させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハー上に溶液からのめっきにより配線材料としての銅の析出を行うための前処理方法として、シード層としての銅の成膜方法であって、半導体ウェハーをフッ化水素酸及びフッ化銅(I)またはフッ化銅(II)を含む溶液に浸漬することによりウェハー上に銅を析出させることを特徴とする銅の成膜方法。

IPC (4件)：

C25D 5/34 ,  C23C 18/38 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (4件)：

C25D 5/34 ,  C23C 18/38 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭29-002159
  
• 半導体装置および半導体装置の製造方法および半導体装 置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100697   出願人：三洋電機株式会社
• 基材表面の微小孔又は微細凹みの充填又は被覆方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-091778   出願人：株式会社東芝, 株式会社荏原製作所
• 特公昭29-002159