特許

J-GLOBAL ID：200903030524986797

半導体装置の実装体及び半導体装置の実装方法

発明者： 岩城 秀樹 ,  田口 豊 ,  小椋 哲義
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102296
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294601
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 クロストークノイズの十分な低減を図ることが可能な構成とされた半導体装置の実装体と、半導体装置の実装方法とを提供する。【解決手段】 本発明にかかる半導体装置の実装体は、半導体装置11及び回路基板14間の間隙を封止してなる樹脂組成物3に含有されたフィラー2が樹脂1よりも小さな比誘電率を有しており、かつ、半導体装置11及び回路基板14間の間隙を封止した樹脂組成物3中の回路基板14側に位置していることを特徴とする。本発明にかかる半導体装置の実装方法は、半導体装置11を回路基板14上に実装する工程と、樹脂1及び樹脂1よりも比誘電率の小さいフィラー2を含有して未硬化状態にある樹脂組成物3を半導体装置11及び回路基板14間の間隙に充填する工程と、フィラー2が樹脂組成物3中の回路基板14側に位置する状態としたうえで樹脂組成物3を硬化させる工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

半導体装置をフェースダウンで回路基板上に実装し、比誘電率の異なる2種の物質を含有した封止物質でもって半導体装置及び回路基板間の間隙を封止してなる半導体装置の実装体であって、半導体装置及び回路基板間の間隙を封止した封止物質の回路基板側には、比誘電率のより小さな物質を位置させていることを特徴とする半導体装置の実装体。

IPC (6件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H05K 1/18

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 301 Z ,  H05K 1/18 L ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の実装方法および半導体装置の実装体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-073674   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の実装方法およびその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262139   出願人：日本電気株式会社