表示装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-181390
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】有機EL表示素子の画素開口率を高くし、また、製造時の歩留まりを高くする。【解決手段】アドレスドライバ2がアドレスラインALを選択し、対応するダブルゲートトランジスタ10のトップゲートに正電圧を印加すると、その半導体層内にnチャネルが形成される。このとき、データドライバ3からすべてのデータラインDLに正電圧を供給することで、対応する有機EL素子11を一旦すべて発光させる。次に、アドレスドライバ2からアドレスラインALに供給する電圧を所定の負電圧まで徐々に電位低下させる。データドライバ3から、発光画素のデータラインDLにはアドレスラインALの電位が低下する前に所定期間正電圧を供給して有機EL素子11を発光させ、ダブルゲートトランジスタ10のトップゲートに入射させる。一方、非発光画素のデータラインDLにはアドレスラインALの電位低下後に所定期間正電圧を供給する。

請求項（抜粋）：

複数の画素が所定の配列で配置された表示装置であって、前記複数の画素のそれぞれは、所定の波長域の光の入射により内部にキャリアを発生する半導体層と、第1絶縁膜を介して前記半導体層と対向して形成され、前記半導体層にチャネルを形成するチャネル形成電圧とチャネル形成を形成しないチャネル非形成電圧が選択的に供給される第1制御端子と、前記第1の制御端子の形成位置とは逆側に第2絶縁膜を介して前記半導体層と対向して形成され、前記第1制御端子によるチャネル形成を阻害するとともに前記半導体層で生成されたキャリアのうち一方の極性のキャリアを保持する非選択電圧と前記第1制御端子によるチャネル形成を阻害しない選択電圧が選択的に供給される第2制御端子と、前記半導体層の両端にそれぞれ接続され、形成されたチャネルを通じて電流を流すための第1電流路端子及び第2電流路端子と、を備えたアクティブ素子と、前記アクティブ素子の前記第1電流路端子に接続され、所定の電圧または電流が供給されると、前記半導体層内にキャリアを発生させる波長域を含む光を発光する発光素子と、を備えることを特徴とする表示装置。

IPC (2件)：

G09F 13/22 , H05B 33/12

FI (2件)：

G09F 13/22 M , H05B 33/12 Z

Fターム (19件)：

3K007AB02 , 3K007AB17 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007DA02 , 3K007GA04 , 5C096AA01 , 5C096AA21 , 5C096AA27 , 5C096BA04 , 5C096BC20 , 5C096CA06 , 5C096CC07 , 5C096CC23 , 5C096CH01 , 5C096CJ01 , 5C096DC03 , 5C096DC25 , 5C096FA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-149473
有機ELディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230820 出願人：三洋電機株式会社
有機ELディスプレイの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-130790 出願人：パイオニア株式会社

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