特許
J-GLOBAL ID：200903030666896604
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283247
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119817
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】高出力時の駆動電流を低減し、CODの発生が無く、長期信頼性に優れた半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかるレーザ半導体素子は、半導体基板、第一導電型の第一クラッド層、活性層、第二導電型のクラッド層および第二導型の保護層を含み、レーザ共振器端面近傍領域の活性層(窓領域104B)のフォトルミネッセンスのピーク波長がレーザ共振器内部領域の活性層(活性領域104A)のフォトルミネッセンスのピーク波長により小さい半導体レーザ素子であって、該レーザ共振器端面近傍領域の活性層には、第二導電性を有する第1の不純物原子と第二導電性を有する第2の不純物原子とが混在し、かつ、該第1の不純物原子が該第2の不純物原子より高濃度に存在していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板、第一導電型の第一クラッド層、活性層、第二導電型の第二クラッド層および第二導型の保護層を含み、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のフォトルミネッセンスのピーク波長がレーザ共振器内部領域の活性層のフォトルミネッセンスのピーク波長より小さい半導体レーザ素子であって、該レーザ共振器端面近傍領域の活性層には、第二導電性を有する第1の不純物原子と第二導電性を有する第2の不純物原子とが混在し、かつ、該第1の不純物原子が該第2の不純物原子より高濃度に存在していることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA87
, 5F073CA14
, 5F073DA06
, 5F073DA12
, 5F073DA15
, 5F073EA28
