特許

J-GLOBAL ID：200903031845165783

半導体レーザ,およびその製造方法

発明者： 木村 達也 ,  小野 健一 ,  竹見 政義 ,  宮下 宗治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007179
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209556
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 デバイスの信頼性を維持しつつ、素子抵抗を小さくすることができる半導体レーザ、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 活性層3上に、キャリア濃度が4×1017cm-3であるp-AlGaInP第1クラッド層4と、キャリア濃度が6×1017cm-3であるp-AlGaInP第2クラッド層6及びキャリア濃度が1×1018cm-3であるp-AlGaInP第3クラッド層7からなるリッジ部とを設けるようにした。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板と、該n型半導体基板の表面側に配置されたn型クラッド層と、該n型クラッド層上に配置された活性層と、該活性層上に配置された、その上部にリッジストライプ形状のリッジ部を有するとともに、該リッジ部のキャリア濃度が、上記活性層から離れるにしたがって、そのリッジ部以外の部分のキャリア濃度より段階的に高くなっているp型クラッド層と、該p型クラッド層のリッジ部の周囲を埋め込むように配置された電流ブロック層と、上記p型クラッド層上に配置されたp型コンタクト層と、該コンタクト層上に設けられたp側電極と、上記基板の裏面側に設けられたn側電極とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309600   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-128720   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-089856   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平1-168091