特許
J-GLOBAL ID：200903030674667002
3族窒化物半導体発光素子
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074366
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219538
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【目的】発光強度の向上及び発光色の青色化の向上【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N の高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、亜鉛及びシリコンドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N のn層(発光層)5、膜厚約1.0μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N のp層6が形成されている。p層6と高キャリア濃度n+ 層4とに、それぞれ、接続するニッケルで形成された電極7と電極8とが形成され、それらは、溝9により電気的に絶縁分離されている。層4、5、6のAl、Ga、In、の成分比は各層の格子定数が層3の格子定数に一致するように選択されている。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム(GaN) から成るn伝導型を示すn層と、前記n層に直接接合した窒化インジウムガリウム(Ga<SB>X1</SB>In<SB>1-X1</SB>N; 0<X1<1)から成る発光層と、前記発光層に直接接合した窒化アルミニウムガリウム(Al<SB>X2</SB>Ga<SB>1-X2</SB>N;O<X2<1)から成るp層と、そのp層上に形成されたp型GaN から成るコンタクト層と、そのコンタクト層上に形成されたニッケル(Ni)から成る電極とを有することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
引用特許：
前のページに戻る
