特許
J-GLOBAL ID：200903030681932200
多元マグネトロンスパッタリング装置およびこれに用いるカソード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009010
公開番号（公開出願番号）：特開平11-200041
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：
【要約】【課題】 膜厚分布および膜質が良好な磁性/非磁性薄膜混在積層膜を堆積することの出来る多元マグネトロンスパッタリング装置、およびこれに用いるカソードを提供する。【解決手段】 磁性ターゲット11用の第1のカソード43と、非磁性ターゲット12用の第2のカソード41(42)とを有する多元マグネトロンスパッタリング装置において、第2のカソードの非磁性ターゲット12とマグネット3との間に、非磁性ターゲット12に接して第1の磁性体51を配置し、非磁性ターゲット12の表面における漏れ磁界の強度を磁性ターゲット11の表面のそれと実質的に等しくなるように調整する。
請求項（抜粋）：
真空排気可能なチャンバーと、第1の磁性ターゲットと第1のマグネットとを少なくとも有し、前記チャンバー内に配置された第1のカソードと、非磁性ターゲットと、第2のマグネットと、該非磁性ターゲットと第2のマグネットとの間に挿入された第1の磁性体とを少なくとも有し、前記チャンバー内に配置された第2のカソードとを少なくとも具備することを特徴とする多元マグネトロンスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, G11B 5/39
, G11B 5/85
C23C 14/35 Z
, G11B 5/39
, G11B 5/85 C
