特許
J-GLOBAL ID:200903030693992321

反射型液晶表示装置及びそれを用いた表示パネル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 敬四郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-076802
公開番号(公開出願番号):特開2000-275680
出願日: 1999年03月19日
公開日(公表日): 2000年10月06日
要約:
【要約】【課題】 表示部に微細な画素を用いた反射型液晶表示装置を提供する。【解決手段】 画素1が行列状に配置される第一の基板31と、それに対向し共通電極131が形成される第二の基板51と、両基板間に挟持された液晶層とを含み、第一の基板31上には、行列状に配置された複数の半導体能動素子11とこれを覆うように堆積された層間絶縁膜61と、走査線5、信号線3よりも上のレベルで複数の画素1を覆うように形成され、共通電極131と電気的に接続され、各半導体能動素子11のドレイン上方に開口部73を有する第2の共通電極75と、層間絶縁膜61上に形成され、開口部73で層間絶縁膜61を貫通して各半導体能動素子11のドレインに接続され、各画素11毎に分離され液晶層Eを介して共通電極131と対向する複数の画素電極91とを含む反射型液晶表示装置。
請求項(抜粋):
複数の画素が行列状に配置される表示部を含む第一の基板と、前記第一の基板に対向して配置され第1の共通電極が形成される第二の基板と、前記第一及び第二の基板間に挟持された液晶層とを含み、前記第一の基板の表示部上には、行列状に配置され、各々がソース、ドレイン及びゲートを有する複数の半導体能動素子と、該半導体能動素子を覆うように堆積された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜中に形成され、行方向に並ぶ半導体能動素子の前記ゲートを接続する複数の走査線と、該層間絶縁膜中に形成され、列方向に並ぶ半導体能動素子の前記ソースを接続する複数の信号線と、前記層間絶縁膜中、前記走査線、信号線より上のレベルで複数の画素を覆うように形成され、前記第1の共通電極と電気的に接続され、各半導体能動素子の前記ドレイン上方に開口部を有する第2の共通電極と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記開口部で層間絶縁膜を貫通して各半導体能動素子のドレインに接続され、各画素毎に分離され、前記液晶層を介して前記第1の共通電極と対向する複数の画素電極と、を含む反射型液晶表示装置。
Fターム (11件):
2H092JA24 ,  2H092JB07 ,  2H092JB13 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB52 ,  2H092JB54 ,  2H092JB58 ,  2H092JB63 ,  2H092NA01 ,  2H092PA12
引用特許:
審査官引用 (5件)
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